下载一种钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法和应用的技术资料

文档序号:23163153

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本发明涉及薄膜晶体管技术领域,具体涉及一种钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤:提供含有钐离子、铟离子的盐溶液;采用旋涂方式将所述盐溶液涂覆在在洁净的二氧化硅表面,并进行退火处理,在二氧化硅表面得到钐掺杂...
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