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本发明涉及一种InP HEMT小信号等效电路模型及其参数提取方法，所述小信号等效电路模型包括，包括连接的本征模块和寄生模块，本征模块包括栅源本征单元、栅漏本征单元、源漏本征单元和衬底本征单元，其中，栅源本征单元分别连接栅极内节点和源极内节点...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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