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本发明的SiC外延晶片具备4H‑SiC单晶基板和形成于所述4H‑SiC单晶基板上的SiC外延层，所述4H‑SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面，且在周缘部具有斜角部，所述SiC外延层的膜厚为20μm以上，所述SiC外延层的从外周端...
该专利属于昭和电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过昭和电工株式会社授权不得商用。

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