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本发明公开了一种氧化铈忆阻器薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备氧化铈溶胶；步骤2，采用浸渍‑提拉法，以氧化铈溶胶为原料在室温下使用提拉机在氧化铟(ITO)基板上进行氧化铈凝胶薄膜的提拉，氧化铈凝胶薄膜在室温下干燥后，于300...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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