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一种红外探测器接触孔结构及其制作方法,该接触孔结构包括:位于牺牲层上部具有一预设深度的支撑和电连接孔沟槽和多个接触小孔,且所述多个接触小孔的底部与器件层的电连接点相接触;其中,所述多个接触小孔和所述支撑和电连接孔沟槽填充有第一金属,所述第一...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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一种红外探测器接触孔结构及其制作方法,该接触孔结构包括:位于牺牲层上部具有一预设深度的支撑和电连接孔沟槽和多个接触小孔,且所述多个接触小孔的底部与器件层的电连接点相接触;其中,所述多个接触小孔和所述支撑和电连接孔沟槽填充有第一金属,所述第一...