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本发明公开了一种非对称栅氧结构的纳米片环栅场效应晶体管，包括垂直堆叠的纳米片沟道，包裹在沟道外的双层栅极氧化物，设于沟道两端的源和漏，设置双层边墙，设置在底部的衬底。特征是栅极氧化物由低介电常数材料与高介电常数材料堆叠而成，以沟道长度的二分...
该专利属于华东师范大学;上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学;上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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