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本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，其中，该半导体装置包含设置于衬底上的化合物半导体层，以及设置于化合物半导体层上的保护层。源极电极、漏极电极和栅极电极穿过保护层且设置于化合物半导体层上。此半导体装置还包含栅极场板，其连接栅极电极且...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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