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本发明公开了一种双向晶闸管及电子产品，包括：衬底；及形成于所述衬底上的第一阱和载流子疏散结构；所述第一阱上设置有用于载流子发射的触发区域，所述载流子疏散结构用于将所述触发区域发射的载流子进行疏散，所述电子产品包括上述双向晶闸管，本发明公开的...
该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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