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本发明公开了一种提高Si基和SOI基剥离Ge薄膜质量的方法。该方法为将Si片、SOI片和Ge片经表面处理后，在Si片、SOI片上溅射a‑Ge薄膜，然后将Ge片分别与溅射有a‑Ge薄膜的Si片和SOI片贴合在一起；经低温短时间热压键合和分步骤...
该专利属于闽南师范大学;厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过闽南师范大学;厦门大学授权不得商用。

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