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本发明公开一种基于1/f噪声参数对MOS晶体管热载流子注入效应的提取方法，步骤是：获取选用MOS晶体管基本电参数，确定施加射频应力和直流应力的条件；不同栅极电压条件下测试1/f噪声参数；对MOS晶体管进行热载流子退化实验，得到噪声电流的功率...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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