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一些实施例包含一种半导体装置，其具有堆叠结构，所述堆叠结构包含包括多晶硅的源极、在所述源极上的氧化物的蚀刻停止层、在所述蚀刻停止层上的选择栅极源极、在所述选择栅极源极上方的电荷存储结构，及在所述电荷存储结构上方的选择栅极漏极。所述半导体装置...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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