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本发明提供了一种金属硅化物层的形成方法、半导体器件及其形成方法。通过在金属层和衬底之间形成缓冲材料层，从而在热退火工艺的过程中，可使金属层中的金属粒子能够在缓冲材料层的缓冲作用下穿过缓冲材料层，并扩散到衬底中，有利于减小金属粒子在衬底中的扩...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。

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