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本发明属于柔性器件领域，为提出一种柔性双层材料作为栅介质层的底栅结构晶体管，丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供了可能，本发明双层材料异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法，采用磁控溅射工艺在...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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