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本发明公开的一种电子鼻器件及其制备方法，包括基底和形成在所述基底上的N×M个场效应晶体管(FET)型气体传感器阵列，阵列中的各气体传感器包括设置在基底上的金属电极和图形化的二维材料导电沟道，其中，传感器阵列按行进行同种修饰，按列施加相同的栅...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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