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本发明公开了一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法，属于晶体生长领域。本发明通过选择具有单一生长中心的碳化硅单晶生长前沿作为下次生长的籽晶，可以有效地避免生长初期出现的多核生长现象，经过多次延续单一生长中心后，碳化硅单晶中的成对反向螺位错...
该专利属于河北同光晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北同光晶体有限公司授权不得商用。

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