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本发明提供了制剂，其对由于晶片表面与化学机械平面化(CMP)浆料的相互作用而导致的表面上的无机颗粒、有机残留物、化学残留物、反应产物，以及在CMP之后留在半导体器件上的、表面上的升高水平的不期望金属提供高清洁效果。该CMP后清洁制剂包含一种...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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