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本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该方法包括：在衬底的第一侧表面形成第一半导体层；在第一半导体层背离衬底的一侧形成发光层；在发光层背离第一半导体层的一侧形成第二半导体层，第二半导体层与第一半导体层的掺杂类型不同；对第二半导体层和...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。

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