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本发明涉及确定光刻工艺窗口的方法，涉及半导体集成电路工艺，首先，选取多种类型的图形作为判断最佳曝光工艺窗口的图形，然后设定光刻机曝光时的能量‑焦距矩阵，对晶圆进行曝光，量测不同曝光单元的图形的线宽，收集选取的多种类型的图形的线宽尺寸，然后根...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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