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本发明公开了一种以Zr为基底的Cr‑Al合金膜及其制备方法，其是利用物理气相沉积方法在Zr表面镀覆多元合金膜，属于溅射法镀覆领域。所镀覆合金膜的最终膜厚约为10μm，本发明是以500nm的Cr‑Al合金膜为例，所使用的基底为Zr‑4合金(S...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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