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一种TMR传感器，包括：绝缘基底；设置于所述绝缘基底上的MTJ阵列，所述MTJ阵列由M×N个间隔设置的MTJ单元组成；连接电极，所述连接电极用于串联MTJ阵列中位于同一排的两个相邻的MTJ单元，以及用于串联MTJ阵列中一排MTJ单元和其后一...
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