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一种基于非极性面AlN自支撑衬底的无应变AlInGaN深紫外LED外延结构制造技术
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下载一种基于非极性面AlN自支撑衬底的无应变AlInGaN深紫外LED外延结构的技术资料
文档序号:22915122
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本发明属于深紫外LED半导体及其制造的技术领域,提供了一种基于非极性面AlN自支撑衬底的无应变AlInGaN深紫外LED外延结构。其结构为依次排布的非极性面AlN自支撑衬底、N型掺杂的Al...
该专利属于华南师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过华南师范大学授权不得商用。
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