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本发明公开了一种Be离子扩散保护环APD芯片及其制作方法，所述外延功能层中，所述第一区域包括中心区域以及包围所述中心区域的扩散保护环区域；所述中心区域内设置有扩散区，所述扩散保护环区域设置有Be离子注入扩散保护环。通过所述Be离子注入扩散保...
该专利属于深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司授权不得商用。

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