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本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及制备方法，其电池正表面的整体复合速率进一步降低。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝...
该专利属于苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院授权不得商用。

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