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抗辐照器件及制备方法，涉及电子器件技术。本发明的抗辐照器件包括辐照敏感氧化层及硅衬底，其特征在于，所述硅衬底和辐照敏感氧化层之间设置有超薄氧化层和正电荷抑制层，且按照硅衬底、超薄氧化层、正电荷抑制层、辐照敏感氧化层的顺序重叠设置。本发明通过...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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