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本发明公开了一种测量铁电薄膜负电容的方法。本发明包括以下步骤：①通过脉冲激光沉积方法，制备不同厚度铪锆摩尔比为1：1的HZO铁电薄膜；②对HZO铁电薄膜电容器进行电学性能分析。本发明通过分析不同厚度HZO铁电薄膜的退极化电场随外加电压的变化...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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