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充电保护电路制造技术
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文档序号:22804779
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本实用新型提供一种充电保护电路,其包括:第一MOS管、三极管、第二MOS管以及二极管;第一MOS管的源极连接至充电线路的正极端,栅极连接至三极管的发射极,三极管的集电极连接至第二MOS管的栅极,第二MOS管的漏极连接至二极管的负极,第二MO...
该专利属于苏州健德电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州健德电子科技有限公司授权不得商用。
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