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本发明提供一种氧化镓基肖特基二极管及制备方法，其中二极管包括：氧化镓衬底；外延氧化镓，设置于所述氧化镓衬底之上；第一绝缘区，位于所述外延氧化镓第一深度；多个第二绝缘区，位于所述外延氧化镓的上表面；肖特基金属层，跨设于相邻的两个第二绝缘区之上...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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