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本发明涉及一种限制GaN外延薄膜的裂纹生长、表面形貌均匀且工艺相对简单、易于实现的Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法。采用的技术方案包括：采用MOCVD系统进行外延生长以及Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法，其特征在于：其外延结构依次为Si...该专利属于温州大学;陕西光电子集成电路先导技术研究院有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过温州大学;陕西光电子集成电路先导技术研究院有限责任公司授权不得商用。