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本实用新型涉及一种大功率IPM模块的先进封装结构，其包括IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、铜填充硅通孔驱动芯片、覆铜陶瓷基板、缓冲层、焊料层、焊球、塑封外壳、封装树脂、导热硅脂以及散热器。其中采用铜填充硅通孔驱动芯片，以三维堆叠的先进封装形...
该专利属于黄山学院所有，仅供学习研究参考，未经过黄山学院授权不得商用。

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