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本发明公开了一种快速制备碳化硅的装置，涉及碳化硅技术领域。所述装置将碳化硅块放置于第一生长腔与第二生长腔之间，籽晶位于第一生长腔的多孔氮化硼内衬中，通过内置热偶及液态金属冷却液的陶瓷籽晶杆给籽晶降温，使其附近建立起合适的生长温度和温度梯度。...
该专利属于衡水学院所有，仅供学习研究参考，未经过衡水学院授权不得商用。

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