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本发明涉及一种有序铁电拓扑畴结构阵列的制备方法，其包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO单晶衬底上沉积一层SRO导电层作为底电极；S2：选择Zr:Ti＝7:3的PZT靶材，采用脉冲激光沉积法在SRO导电层上沉积一层菱...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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