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本发明提供一种带有多数载流子二极管的碳化硅MOS器件。当MOS器件关断时，本发明通过引入多数载流子二极管和PN结二极管并联，同时利用多数载流子二极管其开启电压低、单极性电流导电的特点和PN结二极管导通电流大、耐压高的特点，在降低了器件在反向...
该专利属于派恩杰半导体(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过派恩杰半导体(杭州)有限公司授权不得商用。

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