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本申请涉及有机电子装置的光刻法图案化，特别是一种制造OLED装置的方法，包括在具有底部电极的第一阵列的装置基底上提供第一底切剥离结构。接着，在第一底切剥离结构上和在底部电极的第一阵列上沉积包括至少第一发光层的一个或更多个有机EL介质层。通过...
该专利属于正交公司所有，仅供学习研究参考，未经过正交公司授权不得商用。

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