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本发明公开了一种二维非晶氧化物半导体与薄膜晶体管及其制备方法，所述的二维非晶氧化物半导体厚度为1.0~3.1 nm，室温禁带宽度3.86~5.12 eV，具有明显的量子约束效应，同时表现出二维特性和非晶态结构。在二维非晶氧化物半导体中，金属...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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