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本发明涉及一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，是由InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET组成的平面结构，其中，InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET分别作为NTFET与PTFET。本发明新型平面CTFET反...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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