温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET及制造方法，其以两层多晶硅、更低成本的方法制程实现，在本发明形成MOSFET屏蔽栅的多晶硅，和形成MOSFET的ESD保护二极管的多晶硅，是同一层多晶硅(第一层多晶硅)，而形成MOSFET...
该专利属于深圳市芯电元科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯电元科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。