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根据本发明，提供一种III族氮化物半导体基板(自支撑基板(30))，其由III族氮化物半导体晶体构成，处于正背关系的露出的第一主表面和第二主表面均为半极性面，在室温条件下，照射波长为325nm、输出为10mW以上且40mW以下的氦‑镉(He...
该专利属于古河机械金属株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过古河机械金属株式会社授权不得商用。

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