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本发明提供一种提高实时时钟芯片时间数据可靠性的方法，写入RAM数据包括如下步骤：S1：打开数据写保护位；S2：写入所述RAM数据；S3：写完所述RAM数据后，关闭所述数据写保护位。通过给芯片的静态RAM数据写入功能加锁，加强数据的抗干扰能力...
该专利属于深圳市兴威帆电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市兴威帆电子技术有限公司授权不得商用。

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