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在本文中公开了一种基于CMOS的流量传感器，该流量传感器包括具有蚀刻部分的衬底；位于衬底上的介电区，其中，介电区包括在衬底的蚀刻部分的区域上方的介电膜；形成在介电膜内的p‑n结型器件，其中，p‑n结型器件被配置为作为温度感测器件操作。...
该专利属于剑桥企业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过剑桥企业有限公司授权不得商用。

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