温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种IGBT器件结构，旨在解决现有技术中采用虚拟沟槽栅结构的IGBT器件关断时，沟槽区域下方积累的载流子浓度过低，导致器件的通态压降无法降低，以及随着虚拟沟槽的宽度被设计得越来越窄，增加了从虚拟沟槽多晶硅...
该专利属于国电南瑞科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国电南瑞科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。