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本发明公开了一种只读存储器的单元阵列及其形成方法，形成方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成了各存储单元的栅极结构和位于栅极结构两侧的侧墙结构后，采用自对准重掺杂离子注入工艺在栅极结构的两侧的半导体衬底中形成具有相同或不同的离子掺杂类...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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