温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了半导体装置及其制造方法，此方法包含提供具有第一导电型的基底，在基底上形成具有第一导电型的磊晶层，在磊晶层中形成沟槽，在沟槽中和磊晶层的顶表面上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上依序形成遮罩电极和遮罩层，使用遮罩层移除第一绝缘层的一部...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。