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本发明涉及半导体技术，特别涉及一种无snapback效应逆导IGBT及其制造方法。本发明的主要方案是对IGBT背面的集电极结构进行改进，通过优化P++集电极区和N++层的掺杂浓度和厚度，尽量降低器件的反向阻断电压，利用反向阻断模式时的雪崩击...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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