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本实用新型公开了一种双极性三极管器件，该双极性三极管器件包括衬底、外延层和双极性三极管；双极性三极管包括：由轻掺杂的N‑型单晶硅外延层组成的集电区；由掺杂碳原子的P型单晶硅锗合金组成的基区，P型单晶硅锗合金中锗的含量沿第一方向由零递增至第一...
该专利属于瑞能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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