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本申请提出一种宽带SIW缝隙天线，包括：介质基片，包括上表面和下表面；上表面金属层，覆盖在所述介质基片的上表面处；下表面金属层，覆盖在所述介质基片的下表面处；金属化通孔阵列，以指定方向排列在所述介质基片上，并贯穿所述介质基片以开设至所述上表...
该专利属于珠海纳睿达科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海纳睿达科技有限公司授权不得商用。

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