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本发明涉及电子技术领域,特别是晶振模块高鲁棒性主动降噪方法。包括:测量静止环境下晶振相位噪声;测试三轴振动方向下晶振的相位噪声,并计算得加速度敏感性矢量;利用压控模块对晶振模块的电性能补偿;计算得到初始相位噪声补偿电压值;利用外部的扰动参数...该专利属于中国电子科技集团公司第二十九研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第二十九研究所授权不得商用。
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本发明涉及电子技术领域,特别是晶振模块高鲁棒性主动降噪方法。包括:测量静止环境下晶振相位噪声;测试三轴振动方向下晶振的相位噪声,并计算得加速度敏感性矢量;利用压控模块对晶振模块的电性能补偿;计算得到初始相位噪声补偿电压值;利用外部的扰动参数...