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本发明属于无损检测相关技术领域，其公开了一种交叉线圈式磁致伸缩扭转导波传感器结构参数的优化方法，该方法包括以下步骤：(1)提供实验平台，并分别确定所述实验平台中的激励传感器的最佳激励偏置磁场强度及接收传感器的最佳接收偏置磁场强度；(2)基于...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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