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在一般的方面，一种功率半导体器件可包括碳化硅(SiC)衬底以及设置在所述SiC衬底上的SiC外延层。所述器件还可包括设置在所述SiC外延层中的阱区以及设置在所述阱区中的源极区。所述器件还可包括设置在所述SiC外延层中并与所述源极区相邻的栅极...
该专利属于快捷半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过快捷半导体公司授权不得商用。

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