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本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(2...该专利属于东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人东北大学授权不得商用。