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本发明公开了一种方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法,包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片,方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布,且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽,正面保护环环绕螺旋阴极分布;基片反面设有反面电极、入射...该专利属于湖南正芯微电子探测器有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过湖南正芯微电子探测器有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法,包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片,方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布,且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽,正面保护环环绕螺旋阴极分布;基片反面设有反面电极、入射...